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六级能效集成MOS的AC-DC芯片

发布者：diyadmin 发布时间：2013-07-27 11:13:48 阅读：7549次

六级能效集成MOS的AC-DC芯片

Chipown针对10-24W AC/DC整机内置电源和外置适配器电源，推出了新一代的反激架构PN8147/49系列芯片，内部集成了多模式脉宽调制控制器、快速高压启动MOSFET和高雪崩能力功率MOSFET，采用DIP7封装，外围元件精简。

PN8147/49提供了极为全面的智能化保护功能，包括外部可调的周期式过流保护（OCP）、过压保护（OVP）、过载保护（OLP）、过温保护（OTP）、软启动等功能，该芯片可以承受任何外接元件的开短路/反接破坏测试，包括破坏性很强的RCD和CS短路冲击。通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种脉冲功率调节模式混合技术和低功耗半导体器件结构技术实现了符合六级能效的超低待机功耗、全电压范围下的最佳效率。良好的EMI表现由抑制开关峰值的功率MOSFET新结构、频率调制和软驱动的专利技术充分保证。

8147/8149的特点:

1. 待机功耗可显著降低（小于50mW），因为IC自身工作电流极小，且内置高压启动MOS管，IC启动之后自动关闭启动管；

2. 无需高压启动电阻和VDDG电阻，元件精简，且启动更快速（小于200ms），比普通高压电阻启动快10倍。

3. EMI特性好，CE裕量大于8dB（无输出共模电感），RE裕量大于5dB（无输出共模电感）；

4. 内置16级软启动功能，更安全。

5. 内置功率MOS管内阻小（1.7-4Ω），同等输出功率下的温升更低。

6. 可承受任何外接元件的开短路/反接破坏测试，包括CS短路保护，防止产线加工时CS电阻短路而烧毁IC，承受任何外接元件的开短路/反接破坏测试，提高产线直通率；很多竞争产品在CS短路后开机必炸机。
7. 采用自主设计的高雪崩能力智能开关MOSFET，在18W反激系统中去掉RCD/ AC264V下仍能正常工作不烧毁，可见该核心功率器件的耐冲击强度。
8. 通过Hi-mode、Eco-mode、Burst-mode的三种混合调节模式技术，在适当的设计方案中，完全可满足六级能效的四点平均效率标准（带输出线）。

订购代码	封装	典型功率
订购代码	封装	密闭	开放
PN8147NSC-T1	DIP7	12W	18W
PN8149NSC-T1	DIP7	18W	24W

注：如果需要产品的详细手册或DEMO设计方案等参考资料，请向我们申请。>>